化学位移？化学位移是因原子内层电子结合能的变化而引起电子能谱图上谱峰位置的移动。不同的化学环境主要指原子价态的变化、与不同电食性的原子或原子团相结合等。这些因素会造成原子核内电荷和核外电荷的分布发生变化，那么，化学位移？一起来了解一下吧。
化学位移中数字越大是低场，不是高场。因为低场矢量为0的分力越小，而分力越小，越容易产生位移，所以化学位移中数字越大是低场。
核磁共振中，化学位移本身是有单位的，其单位是Hz，之所以最终没有单位，是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。例如，当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百万分之一，也就是1ppm；
之所以这么表示是因为，位移值会随着机器的不同而改变，例如，在400MHz的NMR下，位移值是400Hz，只是相对位移不变，仍然是1ppm
由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。
某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemicalshift），常以δ表示。
扩展资料：
化学位移的差别约为百万分之十，难以精确测得数值。现采用相对数值表示法，即选用一个标准物质，以该标准物的共振吸收峰所处位置为零点，其它吸收峰的化学位移值根据这些吸收峰的位置与零点的距离来确定。最常用的标准物质是四甲基硅TMS(tetramethylsilicon)。
化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。 表征在不同化学环境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波谱上出现的位置。
就外部因素来说， 氘代溶剂对化学位移有一定影响， 如用氘代氯仿和氘代DMSO会导致同一H或C 的化学位移有变化， 但不是很大。
影响化学位移的主要因素是所测元素周围的化学环境。 例如烯烃上的H或C的化学位移比饱和烷烃的H或C的化学位移要大的多， 即在低场出现。
更具体和详细的内容请参考有关的波谱专著。
化学位移：产生共振吸收峰的位移。
在有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，即产生共振吸收峰的位移，称为化学位移。
影响因素包括以下：
1. 电负性
2. 各向异性效应
3. 氢键
4. 溶剂效应
5. 范德华效应
拓展资料：
产生原因：
核周围电子产生的感应磁场对外加磁场的抵消作用称为屏蔽效应。核周围的电子屏蔽效应是化学位移产生的主要原因。通常氢核周围的电子云密度越大，屏蔽效应也越大，从而需要在更高的磁场强度中才能发生核磁共振和出现吸收峰。
参考资料：
百度百科化学位移
由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰，某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移，常以δ表示。
在外磁场的作用下，核外电子会产生方向相反的感应磁场，即屏蔽作用，使原子核实际感受到的磁场强度减弱，共振频率随之改变。
由于核所处的化学环境不同，导致核周围电子云密度不同所引起的共振吸收峰的位移现象称为化学位移。
影响化学位移的因素主要是核周围的化学环境(分子的结构)不同产生的诱导效应、共轭效应、磁各向异性效应、氢键作用和溶剂效应等因素。
化学位移绝对值的差别很小，要精确测量难度很大，所以需要选定一个标准物质，将其核磁共振吸收峰的位置定为零，采用相对数值表示法来表示化合物吸收峰的位置。
化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达（相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准）。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。
影响因素可以表示为
内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。
外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）
以上就是化学位移的全部内容，化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。 表征在不同化学环境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波谱上出现的位置。就外部因素来说， 氘代溶剂对化学位移有一定影响。
